[发明专利]一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法在审
| 申请号： | 201811266047.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106527A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张秀萍;赵军华;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，通过激光淬火装置对bar条的前腔面和后腔面进行淬火，使膜层内部原子结构重新排列组合，得到致密的、应力小的高质量薄膜。在镀膜机内部直接进行激光淬火处理，工艺方法简单易操作，就可以得到致密性高、应力小的高质量薄膜。激光淬火的方式可以使材料材料表面迅速升温和降温，提高注入杂质的激活率与迁移率的同时不对腔面膜造成损伤。同时激光淬火具有加热速度快、热影响较小的优点，达到减小应力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体激光器 镀膜 质量 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潍坊华光光电子有限公司，未经潍坊华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811266047.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：流体调节器
- 下一篇：一种AlGaInP四元LED芯片制备方法
