[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811266348.X | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109728073A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吉田芳规;可知刚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括根据半导体器件的使用所期待的缓冲器部。具有缓冲器部的缓冲器区域被限定在栅极焊盘区域中，该栅极焊盘区域被限定在靠近半导体衬底的第一主表面的侧面上。在缓冲器区域中形成彼此接触的p型扩散层和n型柱层。p型扩散层和n型柱层被形成为缓冲器部的寄生电容，同时n型柱层电耦合到漏极。在Y轴方向上延伸的p型扩散层是缓冲器部的电阻并且电耦合到源极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 缓冲器部 柱层 缓冲器区域 栅极焊盘 电耦合 寄生电容 主表面 衬底 电阻 漏极 源极 半导体 制造 侧面 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相反的第一主表面和第二主表面，并且在靠近第二主表面侧具有第一导电类型的基底衬底；第一区域，所述第一区域被限定在靠近所述半导体衬底的第一主表面侧；第二区域，所述第二区域被限定在靠近所述半导体衬底的所述第一主表面侧的所述第一区域以外的区域中；第一导电类型的第一扩散层和第二导电类型的第二扩散层，所述第一导电类型的第一扩散层和所述第二导电类型的第二扩散层彼此接触并且从所述半导体衬底的所述第一主表面朝着所述基底衬底形成；绝缘栅场效应晶体管，所述绝缘栅场效应晶体管被形成在所述第一区域中，并且允许所述第一主表面和所述第二主表面之间的电流传导；缓冲器部，所述缓冲器部被形成在所述第二区域中同时具有电阻和电容，并且与所述绝缘栅场效应晶体管并联电耦合，其中所述第一扩散层位于靠近基底衬底侧同时电耦合到所述基底衬底，并且所述第二扩散层位于靠近所述第一主表面侧，其中在所述第二区域中，所述第一扩散层和所述第二扩散层被提供作为电容，同时所述第一扩散层被电耦合到所述绝缘栅场效应晶体管的漏极，所述第二扩散层作为所述电阻被电耦合到所述绝缘栅场效应晶体管的源极，并且所述第二扩散层被形成为从下述接触在第一方向上延伸，在所述接触处所述第二扩散层被电耦合到所述源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811266348.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：包含外延硅层的半导体装置及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
