[发明专利]一种单晶硅方棒平面角角度测试装置及其测试方法有效

专利信息
申请号: 201811266539.6 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN109443192B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 王烨;薛增涛;杜云;杨霞 申请(专利权)人: 河北科技大学
主分类号: G01B7/30 分类号: G01B7/30
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 李宏伟
地址: 050000 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种单晶硅方棒平面角角度测试装置及其测试方法,包括电容测量电路、控制器、电机驱动器、显示器,旋转台,电机,所述控制器与电容测量电路连接,所述控制器与显示器连接,所述控制器与电机驱动器连接。本方法可以提醒操作人员是否需要重新对单晶硅方棒进行滚磨修正的问题,提高了硅片的质量以及生产成品率。
搜索关键词: 一种 单晶硅 平面角 角度 测试 装置 及其 方法
【主权项】:
1.一种单晶硅方棒平面角角度测试装置,其特征在于:包括电容测量电路、控制器、电机驱动器、显示器,旋转台,电机,所述控制器与电容测量电路通过信号线连接,所述控制器与显示器通过信号线连接,所述控制器与电机驱动器通过信号线连接;所述电容测量电路由9个电容传感器及信号处理电路组成,用于将电容信号转换为电压信号并输入控制器;9个电容传感器中每3个电容传感器分为一组,共分为三组;所述单晶硅方棒放置在电容测量电路的9个电容传感器中间的旋转台上;所述电机驱动器用于执行控制器的命令,驱动电机带动旋转台转动,调整电容传感器与单晶硅方棒的位置;所述显示器用于显示电容测量电路的测量值以及提醒操作人员单晶硅方棒是否需要重新滚磨加工;所述控制器通过测量三组电容传感器中第一个和第二个电容传感器的电容比,根据如下关系式求出单晶硅方棒任意相邻两平面平面角角度的平均值其中,C1i,C2i分别为第i组中第一个和第二个电容传感器的电容值。
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