[发明专利]SiC外延晶片在审
| 申请号： | 201811266635.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109786211A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 石桥直人;深田启介 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和位于所述SiC单晶基板的一面侧的载流子浓度变动层，所述载流子浓度变动层是高浓度层和低浓度层交替地层叠多层而成的，所述高浓度层的载流子浓度比相邻的层高，所述低浓度层的载流子浓度比相邻的层低。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 单晶基板 低浓度层 高浓度层 浓度变动 外延晶片 浓度比 交替地层 多层 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延晶片，具备：SiC单晶基板和位于所述SiC单晶基板的一面侧的载流子浓度变动层，所述载流子浓度变动层是高浓度层和低浓度层交替地层叠多层而成的，所述高浓度层的载流子浓度比相邻的层高，所述低浓度层的载流子浓度比相邻的层低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
