[发明专利]改善基底反射导致离子注入层光刻缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种改善基底反射导致离子注入层光刻缺陷的方法，涉及数学物理模型和过程模拟，利用有源区与浅沟道隔离区之间的侧壁图形模拟二次曝光，查找对基底反射敏感的图形，实现初次出版阶段的缺陷预测和修补，减少光罩数量，降低生产成本。

主权项

1.一种改善基底反射导致离子注入层光刻缺陷的方法，其特征在于，包括：S1：建立初始OPC模型，并利用初始OPC模型对实际版图M进行OPC修正，得到已修正版图M0；S2：在已修正版图M0中提取有源区层A0，并做尺寸m扩大，扩大值为α，得到图层A1；S3：将图层A1与有源区层A0进行逻辑非运算，得到有源区层A0的外延图层A2；S4：以已修正版图M0为一次曝光图层进行OPC仿真，得到仿真图层B1，以外延图层A2为二次曝光图层进行OPC仿真，得到仿真图层B2；S5：将仿真图层B2与仿真图层B1做逻辑非运算，得到模拟光阻变化图层B3；S6：将模拟光阻变化图层B3中的图形按尺寸增加的趋势归类为n个集合，其中n≥2；S7：在实际晶圆上量测所述n个集合中尺寸最小集合的图形；S8：判断是否有基底反射导致的光刻缺陷，若是，则进入步骤S2；若否，则进入步骤S9；S9：记录m值，并按尺寸从大到小的顺序在实际晶圆上量测所述n个图形集合，找到产生光刻缺陷的图形中尺寸最小的图形的尺寸，并将其作为模型检测阈值T；S10：将m值和模型检测阈值T做为初始OPC模型检验项，对实际版图M进行检验，将光阻变化图层B3中尺寸小于T的图形用图层G标出；S11：判断图层G是否为空，若图层G为空，则进入步骤S13；如图层G不为空，则进入步骤S12；S12：将图层G与已修正版图M0做与运算得到图层U，将图层G与已修正版图M0做非运算得到图层N，并对图层U中的图形尺寸扩大，将图层U与图层N做或运算，得到新的实际版图M，并进入步骤S10；以及S13：修正结束。