[发明专利]一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811267168.3 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109449198A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李效民;黎冠杰;贾莎莎;朱秋香;徐小科;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L29/201 | 分类号： | H01L29/201;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构及其制备方法，所述钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构包括GaN半导体衬底、以及依次生长在GaN半导体衬底表面的TiN界面外延层、SrTiO3缓冲模板层、和钙钛矿型功能薄膜；所述GaN半导体衬底的取向为（0002）面，所述TiN界面外延层的外延取向为（111）面，所述SrTiO3缓冲模板层的外延取向为（111）面，所述钙钛矿型功能薄膜的外延取向为（111）面。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿型 功能薄膜 外延取向 异质外延 模板层 外延层 衬底 缓冲 制备 半导体 半导体衬底表面 取向 生长 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构，其特征在于，包括GaN半导体衬底、以及依次生长在GaN半导体衬底表面的TiN界面外延层、SrTiO3缓冲模板层、和钙钛矿型功能薄膜；所述GaN半导体衬底的取向为（0002）面，所述TiN界面外延层的外延取向为（111）面，所述SrTiO3缓冲模板层的外延取向为（111）面，所述钙钛矿型功能薄膜的外延取向为（111）面。
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