[发明专利]新型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201811267285.X | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109560142B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;高秀秀;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了新型碳化硅结势垒肖特基二极管，包括层叠设置的第一导电类型碳化硅衬底，第一导电类型碳化硅外延层；所述第一导电类型碳化硅外延层的上表面由中心向外依次设置有有源区、保护环和第二导电类型终端场限环；所述有源区包括间隔设置的多个第二导电类型结势垒区；沿着保护环向有源区的中心的方向，相邻第二导电类型结势垒区的间距逐渐增大，且第二导电类型结势垒区的宽度逐渐减小。本发明还提供了上述的碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.新型碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于包括层叠设置的第一导电类型碳化硅衬底，第一导电类型碳化硅外延层；所述第一导电类型碳化硅外延层的上表面由中心向外依次设置有有源区、保护环和第二导电类型终端场限环；所述有源区包括间隔设置的多个第二导电类型结势垒区；沿着保护环向有源区的中心的方向，相邻第二导电类型结势垒区的间距逐渐增大，且第二导电类型结势垒区的宽度逐渐减小。
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