[发明专利]一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811267430.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109088311A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化区 氧化层 垂直腔面发射 激光芯片 衬底 第一表面 横向扩展 中心区域 不导电 半波 减小 制作 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光芯片，其特征在于，包括衬底、依次位于所述衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；所述第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于所述第一未氧化区四周的第一氧化区；所述第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于所述第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，所述第一氧化区和所述第二氧化区不导电，且所述第一未氧化区的面积小于所述第二未氧化区的面积。
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