[发明专利]包括上喷头和下喷头的沉积设备有效
申请号: | 201811267563.1 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN109797379B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 徐枝延;朴柄善;朴星津;任智芸;林炫锡;田炳好;姜有善;权赫镐;严太镕;崔大宪;河东协 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备,该设备包括:下喷头;上喷头,设置在所述下喷头上方,所述上喷头面对所述下喷头;以及支撑结构,位于所述上喷头与所述下喷头之间,所述晶圆能够被所述支撑结构支撑,其中,所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔,所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔,所述支撑结构包括:环形体,围绕所述晶圆;多个环支撑轴,位于所述环形体与所述下喷头之间;以及多个晶圆支撑件,从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆,并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。 | ||
搜索关键词: | 包括 喷头 沉积 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备,所述设备包括:下喷头;上喷头,设置在所述下喷头上方,所述上喷头面对所述下喷头;以及支撑结构,位于所述上喷头与所述下喷头之间,所述晶圆能够被所述支撑结构支撑,其中:所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔,所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔,所述支撑结构包括:环形体,围绕所述晶圆;多个环支撑轴,位于所述环形体与所述下喷头之间;以及多个晶圆支撑件,从所述环形体的下部区域向内延伸以支撑所述晶圆,并且所述多个晶圆支撑件彼此间隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811267563.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的