[发明专利]具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅衬底，在硅衬底的表面形成栅极结构，栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺凹槽的形成区域；步骤23、进行第一次干法刻蚀形成凹槽的第一部分；步骤24、进行第二次清洗工艺，清洗液采用DHF和DIO3的组合，采用DHF去除硅衬底表面的污染，采用DIO3控制DHF所带来对氧化层的刻蚀速率；步骤25、进行第三次湿法刻蚀形成最终凹槽。本发明能实现对凹槽干刻后清洗工艺的控制，能在充分去除硅衬底表面的污染的同时减少或避免氧化层的损耗。

主权项

1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域；步骤23、进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀依次对所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层和所述硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽的第一部分；步骤24、进行第二次清洗工艺，用于清洗所述第一次干法刻蚀带来的对所述硅衬底表面的污染，所述第二次情形工艺的清洗液采用DHF和DIO3的组合，采用DHF去除所述硅衬底表面的污染，采用DIO3控制所述DHF所带来对氧化层的刻蚀速率，使得在充分去除所述硅衬底表面的污染的同时减少或避免氧化层的损耗；步骤25、进行第三次湿法刻蚀，所述第三次湿法刻蚀在对所述凹槽的第一部分进行扩展形成所述凹槽。