[发明专利]NMOS管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811267623.X | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109473469A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈品翰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/26;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NMOS管，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在P阱表面形成有栅极结构；在栅极结构的两侧形成有凹槽；在凹槽中嵌入式外延层，嵌入式外延层包括：硅种子层，硅磷主体层，位于硅磷主体层和硅种子层之间的双屏蔽层，双屏蔽层由材料不同的第一屏蔽层和第二屏蔽层叠加而成；突出到凹槽顶部的硅盖帽层；硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，双屏蔽层用于减少嵌入式外延层的磷向周侧的P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的沟道的影响。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能改善器件的短沟道效应并从而改善器件的稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 双屏蔽层 嵌入式 外延层 主体层 硅磷 栅极结构 种子层 第一屏蔽层 短沟道效应 凹槽顶部 表面形成 硅盖帽层 硅衬底 稳定度 重掺杂 屏蔽 沟道 外扩 制造 | ||
【主权项】：
1.一种NMOS管，其特征在于，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在所述P阱表面形成有栅极结构，被所述栅极结构覆盖的所述P阱表面用于形成沟道；在所述栅极结构的两侧的所述P阱中形成有凹槽；在所述凹槽中嵌入式外延层，所述嵌入式外延层包括：形成于所述凹槽的内侧表面的硅种子层，将所述凹槽填充的硅磷主体层，位于所述硅磷主体层和所述硅种子层之间的双屏蔽层，所述双屏蔽层由材料不同的第一屏蔽层和第二屏蔽层叠加而成；突出到所述凹槽顶部的硅盖帽层；所述硅盖帽层将所述硅种子层、所述硅磷主体层和所述双屏蔽层的表面覆盖；所述硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，所述双屏蔽层用于减少所述嵌入式外延层的磷向周侧的所述P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的所述沟道的影响，从而能改善器件的短沟道效应并从而改善器件的稳定度。
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