[发明专利]一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构，包括设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极，设于层间介质层中的金属互连层和聚光反射层，聚光反射层设有聚光层和金属反射层，并对应位于光电二极管的下方，聚光层具有阵列状的多个聚光突起，每个聚光突起具有面向光电二极管设置的弧形凸面表面，用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，金属反射层具有与每个聚光突起的弧形凸面表面对应的连续弧形状结构，用于将经聚光后的入射光线再次反射至光电二极管中，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，提高了背照式像素单元的近红外量子效率。本发明还公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构的形成方法。

主权项

1.一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构，其特征在于，包括：硅衬底；设于所述硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极；设于所述硅衬底正面下方的层间介质层；设于所述层间介质层中的金属互连层和聚光反射层，所述聚光反射层对应位于光电二极管的下方；其中，所述聚光反射层设有聚光层和位于聚光层下方的金属反射层；所述聚光层设有阵列状的多个聚光突起，每个聚光突起具有面向光电二极管设置的平面底面和背向光电二极管设置的弧形凸面表面，用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，所述金属反射层具有与每个聚光突起的弧形凸面表面对应的连续弧形状结构，用于将经聚光后的入射光线再次反射至光电二极管中。