[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201811268861.2 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860340A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：将衬底放入反应室内；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；其中，所述三维成核层的生长过程包括依次出现的多个生长阶段，每个生长阶段包括低温阶段和在所述低温阶段之后出现的高温阶段，所述高温阶段反应室内的温度高于所述高温阶段相邻的所述低温阶段反应室内的温度，各个所述高温阶段反应室内的温度按照各个所述高温阶段出现的先后顺序逐个升高，各个所述低温阶段反应室内的温度按照各个所述低温阶段出现的先后顺序逐个升高。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温阶段 高温阶段 室内 发光二极管外延 生长 三维成核层 生长阶段 衬底 升高 半导体技术领域 低温缓冲层 发光效率 生长过程 恢复层 二维 放入 源层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：将衬底放入反应室内；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；其中，所述三维成核层的生长过程包括依次出现的多个生长阶段，每个生长阶段包括低温阶段和在所述低温阶段之后出现的高温阶段，所述高温阶段反应室内的温度高于所述高温阶段相邻的所述低温阶段反应室内的温度，各个所述高温阶段反应室内的温度按照各个所述高温阶段出现的先后顺序逐个升高，各个所述低温阶段反应室内的温度按照各个所述低温阶段出现的先后顺序逐个升高。
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