[发明专利]绝缘层上半导体基板与其形成方法有效
| 申请号： | 201811269495.2 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109817514B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郑有宏;许咏恩;陈龙;吴政达;杜友伦;蔡维恭;杨明哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开一些实施例关于形成绝缘层上半导体基板的方法。方法可包括外延形成硅锗层于牺牲基板上，以及外延形成第一主动层于硅锗层上。第一主动层的组成不同于硅锗层的组成。翻转牺牲基板，并将第一主动层接合至第一基板上的介电层上表面上。移除牺牲基板与硅锗层，并蚀刻第一主动层以定义外侧侧壁并露出介电层上表面的外侧边缘。外延形成第二主动层于第一主动层上，以形成相连的主动层。第一主动层与第二主动层具有实质上相同的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 上半 导体 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘层上半导体基板的形成方法，包括：外延形成一硅锗层于一牺牲基板上；外延形成一第一主动层于该硅锗层上，且该第一主动层的组成不同于该硅锗层的组成；接合该第一主动层至一第一基板上的一介电层上；移除该牺牲基板与该硅锗层；蚀刻该第一主动层，以露出该介电层的上表面的外侧边缘；以及外延形成一第二主动层于该第一主动层上，以形成一相连的主动层，其中该第一主动层与该第二主动层具有实质上相同的组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
