[发明专利]一种柔性压力传感器阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201811269542.3 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109437094A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 余家阔;高成臣;孙泽文;程胜战;原福贞;陈有荣;毛子木;韩超 | 申请（专利权）人： | 北京大学第三医院;北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00;G01L1/22 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 周娇娇;李亚东 |
| 地址： | 100191 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柔性压力传感器阵列及其制备方法，其中方法包括：在SOI基片上通过光刻及刻蚀对硅电阻进行图形化；生长二氧化硅层；向二氧化硅层下图形化的硅电阻注入硼离子，并在两端位置进行重掺杂以形成欧姆接触区；在每根硅电阻条的欧姆接触区上方打开电极窗口；溅射导电材料，制备接触电极和下层引线；生长聚对二甲苯介质层；在聚对二甲苯介质层上对应第二接触电极的区域制备引线孔；溅射导电材料制备上层引线；在器件上表面旋涂形成第一聚酰亚胺包覆层；在第一聚酰亚胺包覆层上表面暂键合；去除器件下方SOI基片的埋氧层及衬底；旋涂第二聚酰亚胺包覆层；解除上表面暂键合。本发明采用聚酰亚胺以及聚对二甲苯，保证柔性以及生物兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 聚酰亚胺 聚对二甲苯 包覆层 硅电阻 上表面 柔性压力传感器 二氧化硅层 欧姆接触区 导电材料 接触电极 介质层 图形化 键合 溅射 旋涂 生物兼容性 电极窗口 两端位置 生长 埋氧层 硼离子 引线孔 重掺杂 衬底 光刻 刻蚀 去除 下层 上层 保证 | ||
【主权项】：
1.一种柔性压力传感器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在SOI基片上通过光刻及刻蚀对硅电阻进行图形化；在光刻后的SOI基片上生长二氧化硅层，作为缓冲和保护层；向二氧化硅层下图形化的硅电阻注入硼离子，并在两端位置进行重掺杂以形成硅电阻条的欧姆接触区；通过光刻在每根硅电阻条的欧姆接触区上方打开电极窗口；溅射导电材料，在每根硅电阻条两端的欧姆接触区上制备接触电极，并制备与其中第一接触电极连接的下层引线；生长聚对二甲苯介质层以覆盖电阻条；通过光刻和刻蚀在聚对二甲苯介质层上对应第二接触电极的区域制备引线孔；溅射导电材料，并制备与第二接触电极连接的上层引线；在器件上表面旋涂聚酰亚胺，依次按温度梯度固化后形成第一聚酰亚胺包覆层；在第一聚酰亚胺包覆层上通过临时键合胶进行上表面暂键合；去除器件下方的SOI基片的埋氧层及衬底；在器件下表面旋涂聚酰亚胺，依次按温度梯度固化后在器件底面形成第二聚酰亚胺包覆层；解除上表面暂键合，获得柔性压力传感器阵列。
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