[发明专利]砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201811270101.5 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN111129197B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 罗轶;李琳琳;宋士佳 | 申请(专利权)人: | 紫石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京东灵通专利代理事务所(普通合伙) 61242 | 代理人: | 王荣 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法。该电池包括N型砷化镓半电池和位于N型砷化镓半电池上方的P型钙钛矿半电池,N型砷化镓半电池从下至上依次包括衬底、N型砷化镓层和砷化镓吸收层;P型钙钛矿半电池从下至上依次包括钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极层。该电池的结构使得在制作过程中去除了砷化镓太阳能电池P型半导体层生长步骤,降低了电池生产过程的难度,提高产品良率。与此同时,P型钙钛矿太阳能半电池具有吸光系数强、载流子迁移距离长、电池电压高等优势,能进一步提高砷化镓太阳能电池光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓 钙钛矿异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的