[发明专利]高灵敏度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811270252.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109489843B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘婕妤;邹杨;高超;周杰;胡博豪;刘炎;孙成亮 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01K5/28 | 分类号： | G01K5/28;G01K11/26 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在所述衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。
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