[发明专利]一种太阳能电池选择性发射极的制备方法在审
| 申请号： | 201811270526.6 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109449251A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张俊兵;张峰;周艳方 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 055550 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，该方法可获得更低表面浓度、更浅结深、更高方阻的发射极轻掺杂区域，从而获得更好性能的发射极。本发明所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置掺杂过滤层，所述掺杂过滤层包括硅薄膜；（3）对硅基体进行掺杂，在硅基体表面设置有掺杂过滤层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置掺杂过滤层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基体 选择性发射极 过滤层 掺杂 金属接触区域 非金属接触 太阳能电池 制备 轻掺杂区域 发射极 金属接触电极 重掺杂区域 表面设置 区域形成 低表面 硅薄膜 方阻 浅结 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置掺杂过滤层，所述掺杂过滤层包括硅薄膜；（3）对硅基体进行掺杂，在硅基体表面设置有掺杂过滤层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置掺杂过滤层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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