[发明专利]一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法有效
| 申请号： | 201811273109.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109618505B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 吕铭;曾晓雁;欧阳韬源;吴列鑫 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电子制造相关技术领域，其公开了一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法，该方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光在DBC基板上切割出通孔，所述通孔贯穿所述DBC基板，且其孔壁上熔覆有铜籽晶薄层，所述铜籽晶薄层作为后续电镀的籽晶层；(2)以所述籽晶层作为种子层，采用脉冲电镀方式对所述通孔进行电镀填孔以在所述通孔内形成纯铜柱，所述纯铜柱的两端分别电性连接所述DBC基板相背设置的两个铜箔层，由此实现双面铜箔层的电性连接。本发明制备的纯铜柱互连结构的厚径比高，导电性高，可靠性高，有利于电子制造技术向高密度及高精度发展。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 纯铜 基板 敷铜陶瓷基板 电性连接 高厚径比 铜籽晶 籽晶层 电镀 互连 薄层 电子制造技术 导电性 电子制造 互连结构 脉冲电镀 脉冲激光 双面铜箔 相背设置 厚径比 铜箔层 种子层 孔壁 熔覆 填孔 制备 切割 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n(1)采用脉冲激光在DBC基板上切割出通孔，所述通孔贯穿所述DBC基板，且其孔壁上熔覆有铜籽晶薄层，所述铜籽晶薄层作为后续电镀的籽晶层；其中，所述DBC的金属铜及陶瓷在激光束的作用下发生熔化及气化所形成的羽辉直接溅射在所述通孔的孔壁上，以在所述孔壁上形成所述铜籽晶薄层；/n(2)以所述籽晶层作为种子层，采用脉冲电镀方式对所述通孔进行电镀填孔以在所述通孔内形成纯铜柱，所述纯铜柱的两端分别电性连接所述DBC基板相背设置的两个铜箔层，由此实现双面铜箔层的电性连接。/n
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