[发明专利]一种IGBT并联单元及IGBT压接结构有效

专利信息
申请号: 201811273737.5 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109509743B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 苟锐锋;李超;赵朝伟;郑全旭;封磊;孙银山;杨晓平;任军辉;王江涛 申请(专利权)人: 西安西电电力系统有限公司;中国西电电气股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;孙乳笋
地址: 710075 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种IGBT并联单元及IGBT压接结构,其中,IGBT并联单元包括:第一铝垫块,第二铝垫块,第三铝垫块,第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT,三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元;两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间,设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接,所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接,所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接。压装结构紧凑,设计合理,轴心位置控制简单、易于操作、便于维护,能满足长期运行稳定性和可靠性要求、且成本低廉。本发明能推广大功率IGBT的应用,提高直流断路器的实用性,为直流断路器技术领域提供一种新的技术支持。
搜索关键词: 一种 igbt 并联 单元 结构
【主权项】:
1.一种IGBT并联单元,其特征在于,所述的IGBT并联单元包括:第一铝垫块,第二铝垫块,第三铝垫块,第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT,三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元;其中,两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间,设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接,所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接,所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接,第一压接式IGBT与第二压接式IGBT并联。
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