[发明专利]二极管压接组件单元、全桥级联单元及模块有效

专利信息
申请号: 201811273751.5 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109545779B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 苟锐锋;李超;赵朝伟;郑全旭;封磊;孙银山;杨晓平;任军辉;王江涛 申请(专利权)人: 西安西电电力系统有限公司;中国西电电气股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01H71/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;孙乳笋
地址: 710075 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种二极管压接组件单元、全桥级联单元及模块,二极管压接组件单元包括:上层二极管硅堆单元、下层二极管硅堆单元;上层二极管硅堆单元、下层二极管硅堆单元包括:两个二极管,第一二极管铝垫块以及两个第二二极管铝垫块,第一二极管铝垫块设置于两个第二二极管铝垫块之间,两个二极管分别设置于第一二极管铝垫块与第二二极管铝垫块之间,二极管的阴极与第一二极管铝垫块相连接,二极管的阳极与第二二极管铝垫块相连接;两个硅堆单元通过固定到第二二极管铝垫块的两个铁板相连接,形成二极管压接组件单元,硅堆单元的四个二极管构成内部全桥。本发明解决了直流断路器体积庞大,造价高昂,对快速机械开关的要求高,设计难度大的问题。
搜索关键词: 二极管 组件 单元 级联 模块
【主权项】:
1.一种二极管压接组件单元,其特征在于,所述的二极管压接组件单元包括:上层二极管硅堆单元、下层二极管硅堆单元;其中,所述上层二极管硅堆单元、下层二极管硅堆单元分别包括:两个二极管,第一二极管铝垫块以及两个第二二极管铝垫块,所述第一二极管铝垫块设置于两个第二二极管铝垫块之间,所述两个二极管分别设置于第一二极管铝垫块与第二二极管铝垫块之间,并且二极管的阴极与第一二极管铝垫块相连接,二极管的阳极与第二二极管铝垫块相连接;两个硅堆单元通过固定到第二二极管铝垫块的两个铁板相连接,形成二极管压接组件单元,所述硅堆单元的四个二极管构成内部全桥。
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