[发明专利]受光装置及受光装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201811274379.X 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN110277414A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 国分弘一 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/107;H01L31/18
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开提供能够不使相邻的受光元件间的串扰劣化地提高受光灵敏度的受光元件。根据实施方式,受光装置具备:设置在半导体基板的第一主面上且以第一浓度被导入第一导电型杂质的第一半导体层;设置于第一主面上的第一半导体层间的绝缘膜;设置于第一半导体层的光电变换元件;设置在第一主面侧的绝缘膜上的第一电极;以及设置在半导体基板的与第一主面相对的第二主面上的第二电极。光电变换元件具有:设置于距离第一半导体层的配置第一电极侧的上表面为预定深度处且以第二浓度被导入第二导电型杂质的第二半导体层;和设置成在第一半导体层内包围第二半导体层的侧面及下表面且以比第一浓度高的第三浓度被导入第一导电型杂质的第三半导体层。
搜索关键词: 半导体层 导电型杂质 受光装置 光电变换元件 半导体基板 第一电极 受光元件 绝缘膜 主面 受光灵敏度 第二电极 上表面 下表面 串扰 劣化 包围 侧面 配置 制造
【主权项】:
1.一种受光装置,具备:第一半导体层,其设置在半导体基板的第一主面上,以第一浓度被导入第一导电型杂质;绝缘膜,其设置于所述第一主面上的所述第一半导体层之间;光电变换元件,其设置于所述第一半导体层;第一电极,其设置在所述第一主面侧的所述绝缘膜上;以及第二电极,其设置在所述半导体基板的与所述第一主面相对的第二主面上,所述光电变换元件具有:第二半导体层,其设置于距离所述第一半导体层的配置所述第一电极的一侧的上表面为预定深度处,以第二浓度被导入第二导电型杂质;和第三半导体层,其设置成在所述第一半导体层内包围所述第二半导体层的侧面以及下表面,以比所述第一浓度高的第三浓度被导入所述第一导电型杂质。
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