[发明专利]一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法在审
| 申请号： | 201811274504.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109280967A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，根据不同类型束源炉在两个温度点生长的材料生长速率或多元材料组分，获得束源炉对应生长速率或组分随温度的变化关系，实现对不同类型束源炉温度参数的换算。本发明的方法可以在不使用束流规的情况下，实现对分子束外延中束源炉温度参数的快速估计和定位，高效地实现对多元材料组分精确控制和多元材料生长，大幅提高束源炉参数的调节效率。本发明适用于In、Ga、Al、Si、Ge等多种束源炉，以及气态源分子束外延、固态源分子束外延等多种方式和设备，具有很好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 束源炉 分子束外延 多元材料 换算 温度参数 生长 固态源分子束外延 气态源分子束外延 变化关系 材料生长 快速估计 温度点 束流 | ||
【主权项】：
1.一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将不同类型束源炉分别在两个温度点生长单元材料测试其生长速率，或生长多元材料测试其材料组分；(2)分别获得不同束源炉生长速率或多元材料组分ρ随束源炉温度T的变化关系参数，即获得其变化关系ρ＝a*exp(bT)中a和b的数值，a和b为大于0的可调参数；(3)获取对于不同类型束源炉实现相同生长速率或多元材料组分时的温度换算关系。
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