[发明专利]在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构有效
| 申请号： | 201811274583.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109461801B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘双韬;赵德刚;杨静;江德生;刘宗顺;朱建军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中，该方法包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及保持反应室在N | ||
| 搜索关键词： | 量子点 生长 非掺杂GaN层 外延结构 尺寸均匀性 氮化 光电器件 金属液滴 温度降低 反应室 衬底 载气 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在InGaN表面获得In量子点的方法，包括：/n在衬底上生长GaN缓冲层；/n在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；/n在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及/n保持反应室在N
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