[发明专利]透明导电电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811274747.0 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109402635B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 孟祥浩;顾杨;潘克菲;高绪彬 申请(专利权)人: 苏州诺菲纳米科技有限公司
主分类号: C23F1/02 分类号: C23F1/02;C23F1/30;H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 韩晓园
地址: 215000 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种透明导电电极的制备方法,包括如下步骤:在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜;在银纳米线导电膜上涂布基质,所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层;将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方,被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域;采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理,增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量,同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐;采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理,构成第二区域。该方法通过预处理液对传导层进行处理,增加银纳米线的裸露数量;同时将银纳米线表面形成难溶性银盐,降低银的氧化电位,以降低银纳米线的蚀刻条件,从而降低后续工艺的蚀刻痕。
搜索关键词: 透明 导电 电极 制备 方法
【主权项】:
1.一种透明导电电极的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜;在银纳米线导电膜上涂布基质,所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层;将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方,被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域;采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理,增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量,同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐;采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理,构成第二区域。
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