[发明专利]一种用于电阻加热式MOCVD反应室的加热装置在审
申请号: | 201811275118.X | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109207964A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 李志明;赵丽丽;过润秋;张进成;冯兰胜 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明的一种用于电阻加热式MOCVD反应室的加热装置,包括基座,基座包括圆柱形的导热体,导热体内底部开有若干个同心且深度不同的环形卡槽,每个环形卡槽内均设置有一个环形的加热电阻,环形卡槽和加热电阻的排布采用自带流体与热传导方程的多物理场仿真软件进行仿真,并将热传导模型与流体模型进行耦合计算得出。本发明的有益效果是:本发明通过调节加热电阻的产热量,并调节环形卡槽的尺寸,使导热体表面的温度分布均匀性提高。 | ||
搜索关键词: | 环形卡槽 加热电阻 导热 电阻加热式 加热装置 温度分布均匀性 热传导方程 热传导模型 多物理场 仿真软件 流体模型 耦合计算 导热体 流体 排布 自带 同心 体内 | ||
【主权项】:
1.一种用于电阻加热式MOCVD反应室的加热装置,包括基座,其特征在于:所述基座包括圆柱形的导热体,所述导热体内底部开有若干圈同心且深度不同的环形卡槽,每个环形卡槽内均设置有一个环形的加热电阻,所述环形卡槽和加热电阻的排布采用自带流体与热传导方程的多物理场仿真软件进行仿真,并将热传导模型与流体模型进行耦合计算得出,其包括以下步骤:步骤1,按照反应室的尺寸建立二维轴对称几何模型;步骤2,设置反应室内部的边界条件,包括在反应室入口的速度值、温度和反应气体的浓度值,并把气体出口的气体压强设为常数;步骤3,当反应室内各部件温度达到热平衡后,通过求解计算,得到反应室内导热体上表面的温度分布;步骤4,根据温度分布结果调整环形卡槽和加热电阻的位置和大小,使反应室内导热体上表面的温度均匀分布。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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