[发明专利]Ga掺杂的K3Ba3Li2Al4B6O20F单晶、制法及变频器件

摘要

本发明提供一种Ga掺杂的K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶、制法及K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F变频器件，涉及人工晶体领域。使用该助熔剂体系有效避免了包裹体的产生，明显减少了晶体生长条纹，从而稳定的生长出厘米级、高光学质量的单晶。同时，利用相位匹配法制作出K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶变频器件，当通光方向与晶体的结晶学C轴成大约30.5°～44.2°或67.5°～90°角，即可制成倍频器件或四倍频器件；通过和频方式有望得到355nm和213nm的K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶变频器件，扩展了该变频器件的应用波长范围，在激光变频领域表现出良好的应用前景。

主权项

1.一种Ga掺杂的K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶，其特征在于：所述的Ga掺杂的K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶的化学式为K₃Ba₃Li₂Al_4‑xGa_xB₆O₂₀F，其中，0＜x≤0.05，所述的Ga掺杂的K₃Ba₃Li₂Al₄B₆O₂₀F单晶不含对称中心，属于六方晶系空间群，晶胞参数为β＝120°，Z＝2。