[发明专利]一种震声传感器在审
| 申请号： | 201811276296.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109489802A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 甘立军 | 申请（专利权）人： | 佛山市合宏泰业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01H11/00 | 分类号： | G01H11/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528100 广东省佛山市三水*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明所提供了一种震声传感器，包括：壳体及依次设置在壳体内的配重质量体、支架、单晶硅基底，其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的所述单晶硅基底上表面为波形多层结构，所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移，所述波形结构层表面的电极层，所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层，所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层为波形，所述第二结构层的截面为直线形，所述震声传感器用于将震动波转为声波，再由声波转变为电信号输出，本发明解决了传感器体积、重量与低频信号接收能力之间的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 结构层 单晶硅 多层结构 声传感器 相对设置 组结构 基底 两组 波形结构层 电信号输出 基底上表面 配重质量体 低频信号 接收能力 声波转变 相对位移 依次设置 声波 电极层 下表面 震动波 直线形 传感器 壳体 刻蚀 支架 体内 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种震声传感器，其特征在于，包括：壳体及依次设置在壳体内的配重质量体、支架、单晶硅基底；所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的；所述单晶硅基底上表面为波形多层结构，所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移；所述波形结构层表面的电极层；所述震声传感器用于将震动波转为声波，再由声波转变为电信号输出。
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