[发明专利]一种新型薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201811276567.6 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300791A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杜文汉;杨景景;姚茵;白建会;郑敏;卞维柏;张信华 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型薄膜晶体管的制备方法，首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层绝缘状态的锡酸钡薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的锡酸钡薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极，硅衬底作为栅极。通过控制锡酸钡的导电特性，分别利用绝缘性的锡酸钡作为栅极氧化层，利用半导体性的锡酸钡作为半导体激活层，成功避免了锡酸钡和硅晶格参数不匹配的问题，从而使用易于产业化的磁控溅射技术制备出锡酸钡薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 锡酸钡 制备 磁控溅射技术 晶体管 薄膜 新型薄膜 透明导电电极 单晶硅 半导体特性 薄膜晶体管 栅极氧化层 栅极氧化物 半导体性 导电特性 层绝缘 产业化 硅衬底 硅晶格 激活层 绝缘性 再使用 衬底 漏极 源极 绝缘 半导体 匹配 成功 | ||
【主权项】：
1.一种新型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层绝缘状态的锡酸钡薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的锡酸钡薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极，硅衬底作为栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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