[发明专利]基板处理装置的反应器有效
| 申请号： | 201811277300.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109755155B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朴俊圭 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种基板处理装置的反应器。本发明涉及的基板处理装置的反应器为用于处理至少一个基板的基板处理装置的反应器(100)，反应器的上部外表面(101)与上部内表面(102)的正截面的曲率半径不同，反应器上部壁的中心部(103)的厚度(D3)薄于边缘部(104)的厚度(D4)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置的反应器，用于处理至少一个基板，其特征在于，所述反应器的上部外表面与上部内表面的正截面的曲率半径不同，所述反应器上部壁的中心部的厚度薄于边缘部的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
