[发明专利]高介电常数栅极氧化物非晶IGZO薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201811277366.8 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109411533A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杜文汉;杨景景;姚茵;白建会;郑敏;卞维柏;张信华 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数栅极氧化物非晶IGZO薄膜晶体管的制备方法，首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层高介电特性的状态的钛酸锶薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的非晶态IGZO薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极，硅衬底作为栅极。通过采用高介电常数的钛酸锶薄膜作为栅极氧化物绝缘层，有效降低采用传统氧化硅带来的晶体管漏电流过热问题，从而提高晶体管的稳定性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶体管 高介电常数栅极 磁控溅射技术 薄膜晶体管 栅极氧化物 钛酸锶薄膜 氧化物 非晶 薄膜 绝缘层 透明导电电极 单晶硅 半导体特性 高介电常数 漏电 介电特性 非晶态 硅衬底 热问题 锡酸钡 氧化硅 再使用 衬底 漏极 源极 绝缘 | ||
【主权项】：
1.高介电常数栅极氧化物非晶IGZO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层高介电特性的状态的钛酸锶薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的非晶态IGZO薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极，硅衬底作为栅极。
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