[发明专利]地磁传感器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811278178.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109368587A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;刘琛;高周妙;罗燕飞;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种地磁传感器件及其制造方法，该地磁传感器件包括：CMOS电路；以及传感器，位于在CMOS电路上，CMOS电路与传感器连接，用于驱动传感器和处理传感器产生的检测信号，其中，传感器包括：结构层；依次在结构层上形成的磁阻条、短路电极以及金属连线；以及第一导电层与第二导电层，位于结构层上方，第一导电层分别与CMOS电路以及金属连线相连，第二导电层分别与CMOS电路以及外部电路相连。通过在CMOS电路上形成传感器，并通过第一导电层与第二导电层实现CMOS电路与传感器的电连接，实现了CMOS电路驱动传感器和处理传感器产生的检测信号的功能，达到了CMOS电路与传感器将集成的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 第二导电层 第一导电层 结构层 处理传感器 磁传感器件 驱动传感器 检测信号 金属连线 传感器连接 地磁传感器 短路电极 外部电路 电连接 磁阻 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种地磁传感器件，包括：CMOS电路；以及传感器，位于在所述CMOS电路上，所述CMOS电路与所述传感器连接，用于驱动所述传感器和处理所述传感器产生的检测信号，其中，所述传感器包括：结构层；依次在所述结构层上形成磁阻条、短路电极以及金属连线；以及第一导电层与第二导电层，位于所述结构层上方，所述第一导电层分别与所述CMOS电路以及所述金属连线相连，所述第二导电层分别与所述CMOS电路以及外部电路相连。
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