[发明专利]用于半导体部件的同轴互连结构在审

专利信息
申请号: 201811279333.7 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN110098164A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: M·雅各布斯;张丽娟 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;张昊
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要: 本公开涉及用于半导体部件的同轴互连结构,具体描述了集成到半导体部件中的同轴互连结构以及形成同轴互连结构的方法。将集成电路(IC)裸片的电路电耦合至封装衬底的迹线的同轴互连结构包括绕轴线延伸的信号芯、绕轴线延伸的接地屏蔽以及设置在信号芯与接地屏蔽之间的绝缘体。
搜索关键词: 互连结构 同轴 半导体部件 接地屏蔽 绕轴线 信号芯 绝缘体 电耦合 延伸 迹线 裸片 集成电路 电路
【主权项】:
1.一种半导体部件,包括:封装衬底,具有由所述封装衬底的独立导电层形成的对应的信号迹线和接地迹线;集成电路(IC)裸片,具有信号焊盘和接地焊盘;以及同轴互连结构,所述同轴互连结构将所述IC裸片的所述信号焊盘和所述接地焊盘电耦合至所述封装衬底的对应的所述信号迹线和所述接地迹线,所述同轴互连结构包括信号芯,绕轴线延伸,所述轴线(i)与包含所述信号焊盘和所述接地焊盘的所述IC裸片的平面正交以及(ii)与包含对应的所述信号迹线和所述接地迹线的所述封装衬底的平面正交;接地屏蔽,绕所述轴线延伸并被设置为围绕所述信号芯的周界;以及绝缘体,设置在所述信号芯和所述接地屏蔽之间。
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