[发明专利]一种内置微流道的高散热LTCC基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201811280602.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109449088B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 肖刚;陈宁;王明琼 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供内置微流道的高散热LTCC基板及其制造方法，包括上层部分、中层部分和下层部分；上层部分设有金属柱阵列，中层部分设有由两微流道和中空腔体连通成的腔体，中空腔体内设有金属柱阵列，上层部分的金属柱与中层部分的金属柱一一对应；下层部分设有冷却液出入。制备带金属柱阵列的碳带生坯样品和纯碳带生坯样品；制备与上层部分、中层部分和下层部分分别对应的上层生瓷片、中层生瓷片和下层生瓷片；碳带生坯样品与生瓷片对应叠层，烧结。本发明基板存在金属柱阵列、腔体和微通道，上层中金属柱阵列将芯片产生的热量传递到中层金属柱阵列；中层金属柱阵列通过增大的表面积将热量传递到腔体内部散热媒质中，提高基板散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 微流道 散热 ltcc 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内置微流道的高散热LTCC基板，其特征在于，包括上层部分、中层部分和下层部分；上层部分设有金属柱阵列，中层部分设有由两微流道和中空腔体连通而成的腔体，中空腔体内设有金属柱阵列，上层部分的金属柱与中层部分的金属柱一一对应；下层部分设有冷却液入孔和冷却液出孔，冷却液入孔和冷却液出孔与中层部分的两微流道分别对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
