[发明专利]一种带有异质结二极管的碳化硅MOS器件

摘要

本发明公开了一种带有异质结二极管的碳化硅MOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过引入异质结二极管，利用其开启电压低、单极性电流导电的特点，在降低了器件处于反向二极管工作状态的导通损耗的同时，减小了反向恢复电荷并提高了碳化硅的可靠性。

主权项

1.一种带有异质结二极管的碳化硅MOS器件，其特征在于，包括：半导体底部区[001]，其正面和背面依次设有第一导电类型半导体漂移区[002]和第一电极[013]；第一导电类型半导体漂移区[002]的顶层中央设有栅电极[007]，栅电极[007]与漂移区[002]之间设有栅介质层[006]；栅电极[007]两侧的第一导电类型半导体漂移区[002]内部设有与栅介质层[006]相接触的第二导电类型半导体沟道体区[003]；第二导电类型半导体沟道体区[003]内部顶层设有同时与栅介质层[006]和欧姆接触层[010]相接触的第一导电类型半导体重掺杂区[004]；第二导电类型半导体沟道体区[003]内部顶层设有与和欧姆接触层[010]相接触的第二导电类型半导体重掺杂区[005]；第二导电类型半导体沟道体区[003]外侧的第一导电类型半导体漂移区[002]顶部设有与第一导电类型半导体漂移区[002]相接触的异质半导体区[008]；第一导电类型半导体重掺杂区[004]和第二导电类型半导体重掺杂区[005]通过欧姆接触层[010]与第二电极[012]等电位；异质半导体区[008]与第二电极[012]等电位；第二电极[012]与栅电极[007]之间设有层间介质层[009]隔离。