[发明专利]一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法有效
申请号: | 201811281848.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109935530B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 彭强祥;兰杨波;杨琼;廖敏;周益春 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中山市华朋弘远知识产权代理事务所(普通合伙) 44531 | 代理人: | 汤畅阳 |
地址: | 411100 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供一种用于集成铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的高效低成本实验方法。本发明首先获得铁电薄膜的初始性能参数,然后按工艺操作时间顺序,统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数,提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险工艺参数;其次,按以上高风险工艺步骤的顺序、温度值和温度时间,逐步复制温度,获得各单步的薄膜电学性能,并与前一步骤进行量化对比。本发明在两个基本条件下的基础上提出:(1)成熟稳定的铁电薄膜生长工艺,(2)初步确立的集成工艺路线。本发明对集成器件制作过程由工艺温度造成的铁电薄膜性能下降的问题进行前期评估,提出可有效缩短实验时间,极大降低实验成本的一种方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 器件 中铁电 薄膜 可靠性 评估 实验 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于铁电集成器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:测量铁电薄膜的初始特性,得到关键初始性能参数;S2:按工艺操作时间顺序,统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数,提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险工艺参数;S3:将上述提炼出的高风险工艺参数,按工艺操作时间顺序,逐步复制温度值和温度时间,对铁电薄膜进行处理;S4:测量得到各单一高风险工艺步骤后的铁电薄膜电学性能,并与前一步骤进行量化对比;其中,S1和S4步骤,测量薄膜的电学性能,包括电滞回线、漏电流密度曲线、电容电压特性曲线、保持特性曲线、疲劳特性曲线等关键性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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