[发明专利]一种基于跨导单元的低噪声像素电路结构在审
| 申请号： | 201811282037.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109474795A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 高静;张德志;聂凯明;徐江涛;史再峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于跨导单元的低噪声像素电路结构，包括晶体管M1‑M4，晶体管M1漏端与晶体管M2源端相接，晶体管M1源端与光电二极管PPD一端相接，晶体管M2漏端接FD节点复位电平Vres，晶体管M3栅极接在FD节点而源端接在电源VDD上形成一Gm单元；晶体管M1为TG管，控制曝光电荷向FD节点的转移，晶体管M2为FD节点的复位晶体管，晶体管M3漏端接晶体管M4源端，晶体管M4为行选管SEL，栅极接开关信号，晶体管M4漏端接开关SH的一端，开关SH的另一端接采样保持电容Cs的一端，采样保持电容Cs另一端接地，并通过开关RST接电容复位电平VRST，通过开关READ接电压输出Vpix。本发明一方面实现像素级放大，可降低输入参考噪声，另一方面还可实现增益调控。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏端 源端 电容 像素电路结构 采样保持 复位电平 跨导单元 低噪声 复位晶体管 光电二极管 电压输出 开关信号 曝光电荷 像素级 接地 噪声 电源 放大 参考 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于跨导单元的低噪声像素电路结构，其特征在于，包括：晶体管M1，晶体管M2，晶体管M3，晶体管M4，晶体管M1的漏端与晶体管M2的源端相接，晶体管M1的源端与光电二极管PPD的一端相接，光电二极管PPD另一端接地，晶体管M2的漏端接FD节点复位电平Vres，晶体管M3的栅极接在FD节点而源端接在电源VDD上，形成一个Gm单元；晶体管M1为TG管，控制曝光电荷向FD节点的转移，晶体管M2为FD节点的复位晶体管，晶体管M3的漏端接在晶体管M4的源端，晶体管M4为行选管SEL，栅极接开关信号，晶体管M4漏端接在开关SH的一端，开关SH的另一端接采样保持电容Cs的一端，，采样保持电容Cs的另一端接地，并且通过开关RST接电容复位电平VRST，通过开关READ接电压输出Vpix。
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