[发明专利]一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法在审
| 申请号： | 201811282609.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109507171A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 杨新艳;崔执凤;姚关心;郑贤锋;黄静春;李宽国;袁扬胜;刘小明;左则文;卢宁 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/71 | 分类号： | G01N21/71 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241002 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法，该方法借助氩原子存在激发能态较低的亚稳态，容易电离产生电子的优势，增加电子数密度，提高等离子体的发射光谱强度，改善表面增强激光诱导击穿光谱技术（SENLIBS）的检测极限。相对于现有的SENLIBS技术预处理方法，本发明方法避免了现有预处理方法（如液‑液萃取，化学置换）的繁琐性，提高了SENLIBS技术的分析效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光诱导击穿光谱 表面增强 预处理 等离子体 发射光谱 分析效率 化学置换 激发能态 电离 繁琐性 亚稳态 氩原子 萃取 检测 | ||
【主权项】：
1.一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法，其特征在于，该方法采用氩气辅助表面增强诱导击穿光谱（SENLIBS）技术，借助氩原子存在激发能态较低的亚稳态，容易电离产生电子的优势，增加电子数密度，提高等离子体的发射光谱强度，改善表面增强激光诱导击穿光谱技术的检测极限。
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