[发明专利]LDMOS器件及提升其热载流子注入效应寿命的方法有效
| 申请号： | 201811283776.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128729B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成有浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电类型；进行第二导电类型杂质离子的掺杂，在所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构至少一个交界处形成阻流区；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；然后检测所述LDMOS器件线性区电流，根据所述线性区电流的退化程度评估所述LDMOS器件的热载流子注入效应寿命，可以让载流子尽量避免被交界处错位晶格捕获，降低了对线性区电流退化的影响，通过改善线性区电流退化问题提高了LDMOS器件的热载流子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 提升 载流子 注入 效应 寿命 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
