[发明专利]图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201811284091.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109192747A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 徐进;钟伟明;金子貴昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器的形成方法，包括：提供像素半导体衬底，所述像素半导体衬底的正面具有介质层；在所述介质层的表面形成像素金属互连结构，所述像素金属互连结构至少包括像素层间介质层；对所述像素层间介质层进行刻蚀以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述介质层的一部分表面；将所述像素半导体衬底的正面与逻辑晶圆的正面进行键合，所述逻辑晶圆的正面表面具有逻辑顶层金属线，所述第一沟槽的开口面向所述逻辑顶层金属线的一部分；自所述像素半导体衬底的背面，对所述像素半导体衬底以及所述介质层进行刻蚀以形成第二沟槽，所述第二沟槽与第一沟槽连通。本发明方案可以减轻像素晶圆的表面以及硅衬底的刻蚀损伤，减轻暗电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 介质层 衬底 半导体 晶圆 金属互连结构 顶层金属线 图像传感器 像素层 刻蚀 表面形成 刻蚀损伤 正面表面 暗电流 硅衬底 与逻辑 键合 连通 背面 开口 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供像素半导体衬底，所述像素半导体衬底的正面具有介质层；在所述介质层的表面形成像素金属互连结构，所述像素金属互连结构至少包括像素层间介质层；对所述像素层间介质层进行刻蚀以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述介质层的一部分表面；将所述像素半导体衬底的正面与逻辑晶圆的正面进行键合，所述逻辑晶圆的正面表面具有逻辑顶层金属线，所述第一沟槽的开口面向所述逻辑顶层金属线的一部分；自所述像素半导体衬底的背面，对所述像素半导体衬底以及所述介质层进行刻蚀以形成第二沟槽，所述第二沟槽与第一沟槽连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
