[发明专利]一种TFT阵列基板的检测方法及装置在审

专利信息
申请号: 201811284827.4 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109164615A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 赖学谦 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种TFT阵列基板的检测方法及装置,检测方法包括:在待检测的TFT阵列基板上方设置包含多个金属片的量测头,使得量测头与TFT阵列基板之间形成电容效应,多个金属片阵列排布且位于同一平面上;输出栅极扫描信号至TFT阵列基板上的扫描线,打开与扫描线连接的薄膜晶体管,数据信号输出数据信号至TFT阵列基板上的数据线,并通过薄膜晶体管将数据信号输出至像素电极;检测量测头的金属片上是否有交流信号,若在量测头的金属片上没有检测到交流信号,则确定未检测到交流信号的金属片下方的TFT阵列基板上存在电性缺陷。本发明提供的检测方法及装置维护成本低且不会轻易造成检测装置的损伤。
搜索关键词: 检测 金属片 交流信号 量测头 薄膜晶体管 数据信号 扫描线 输出数据信号 金属片阵列 电容效应 电性缺陷 检测装置 扫描信号 输出栅极 像素电极 装置维护 检测量 数据线 测头 排布 损伤 输出
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板的检测方法,其特征在于,包括下述步骤:在待检测的TFT阵列基板上方设置包含多个金属片的量测头,使得所述量测头与所述TFT阵列基板之间形成电容效应;其中,所述多个金属片阵列排布且位于同一平面上;输出栅极扫描信号至所述TFT阵列基板上的扫描线,打开与所述扫描线连接的薄膜晶体管,输出数据信号至所述TFT阵列基板上的数据线,并通过所述薄膜晶体管将数据信号输出至像素电极;检测所述量测头的金属片上是否有交流信号,若在所述量测头的金属片上没有检测到交流信号,则确定所述未检测到交流信号的金属片下方的TFT阵列基板上存在电性缺陷;所述TFT阵列基板上的每一个像素区域的上方均对应有至少一个金属片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811284827.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top