[发明专利]一种用于三乙胺检测的异质敏感薄膜的原子层沉积制备方法

摘要

本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种用于三乙胺检测的异质敏感薄膜的原子层沉积制备方法，以四(二甲胺基)锡为锡源，以(三甲基)甲基环戊二烯基铂为铂源，通过原子层沉积技术在SiO2衬底上生长Pt/SnO2敏感薄膜，其制备工艺简单，操作方便，制备的薄膜具有良好的均一性，厚度精确可控，金属催化剂具有高度分散性，金属负载量低，适合于批量制备气体传感器，对于气敏材料的研制和气体传感器应用具有重要价值。

主权项

1.一种用于三乙胺检测的异质敏感薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于以四(二甲胺基)锡为锡源，以(三甲基)甲基环戊二烯基铂为铂源，通过原子层沉积技术在SiO2衬底上生长Pt/SnO2敏感薄膜，具体包含以下几个步骤：(1)将SiO2衬底切成8mm*8mm大小，用丙酮、乙醇和去离子水各超声清洗10min，然后用氮气吹干得到洁净SiO2衬底；(2)将步骤(1)得到的洁净SiO2衬底放入原子层沉积反应器，设置反应温度为120‑180℃，以四(二甲胺基)锡为锡源，锡源加热温度为45℃，以H2O为氧源，设置锡源和氧源脉冲时间分别为0.3s和0.5s，在腔体内的暴露时间均为10s，排气时间为30s，载气流量为50sccm，原子层沉积循环数为22‑300圈得到覆有SnO2/SiO2薄膜的衬底；(3)将步骤(2)得到的覆有SnO2/SiO2薄膜的衬底放入原子层沉积反应器，将反应温度升高至280℃，以(三甲基)甲基环戊二烯基铂为铂源，O3为氧源，铂源加热温度为75℃，设置铂源和氧源脉冲时间均为1s，暴露时间分别为20s和25s，排气时间为25s，载气流量为50sccm，原子层沉积循环数为5‑25圈；(4)将步骤(4)反应得到的薄膜和衬底，在体积比为9/1的氩/氢混合气中经500℃退火处理0.5h，制备得到Pt/SnO2异质敏感薄膜。