[发明专利]一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法有效
| 申请号： | 201811284929.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109599345B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 郭佳衢;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔；6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结双极型 晶体管 金属 连线 不易 断裂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，其特征在于包括如下步骤：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
