[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一沟槽，位于第一区域中；以及第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，分别位于第一区域和第二区域中。所述第一晶体管包括第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上并与第一栅极绝缘层接触的第一TiN层以及位于第一TiN层上并与第一TiN层接触的第一栅电极。所述第二晶体管包括第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上并与第二栅极绝缘层接触的第二TiN层以及位于第二TiN层上并与第二TiN层接触的第一TiAlC层。第一栅极绝缘层、第一TiN层和第一栅电极位于第一沟槽内。第一栅电极不包括铝。第一晶体管的阈值电压小于第二晶体管的阈值电压。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，分别位于第一区域、第二区域和第三区域中；以及第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，分别位于第一区域、第二区域和第三区域中，其中，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管是p沟道金属氧化物半导体装置，其中，第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上并接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上并接触第一TiN层的第一栅电极，其中，第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上并接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上并接触第二TiN层的第二栅电极，其中，第三晶体管包括位于基底上的第三栅极绝缘层、位于第三栅极绝缘层上的第三下TiN层、位于第三下TiN层上的第三栅电极以及位于第三栅电极上的第三上TiN层，其中，第一栅极绝缘层、第一TiN层和第一栅电极位于第一沟槽内，其中，第二栅极绝缘层、第二TiN层和第二栅电极位于第二沟槽内，其中，第三栅极绝缘层、第三下TiN层、第三栅电极和第三上TiN层位于第三沟槽内，其中，第二晶体管的第二阈值电压小于第三晶体管的第三阈值电压并且大于第一晶体管的第一阈值电压，并且其中，第一TiN层的厚度小于第二TiN层的厚度。