[发明专利]一种C4

摘要

本发明涉及一种C4馏分的饱和加氢方法，采用固定床反应器；所用催化剂为镍系加氢催化剂，催化剂包括主活性组分钼、镍、钴、钾及氧化硅‑氧化铝组合物。加氢工艺条件为：反应器入口温度30～60℃，反应压力1.5～6.0MPa，液体体积空速1.0～6.0h‑1，氢油体积比为100～400。本发明的C4馏分的饱和加氢方法，使用的镍基饱和加氢催化剂具有较高的加氢活性，可以在较低温度下进行加氢反应，并且具有良好的抗硫、抗水、抗胶质的特点。

主权项

1.一种C4馏分的饱和加氢方法，其特征在于，采用固定床反应器；所用催化剂为镍系加氢催化剂，催化剂包括主活性组分钼、镍、钴、钾及氧化硅‑氧化铝组合物，以重量百分比计，包括26‑36wt％的氧化镍，0.05‑2.5wt％的氧化钼，0.1～2.5wt％氧化钴，2.5‑7.5wt％的氧化钾，0‑2.2wt％选自锶、锰的氧化物中的一种或两种的助剂；氧化硅‑氧化铝组合物含量为35‑70wt％，氧化硅‑氧化铝组合物中包含0.1～16wt％的氧化硅，0.5～15wt％的含镍铝酸镁镧，60～86.0wt％的氧化铝；加氢工艺条件为：反应器入口温度30～60℃，反应压力1.5～6.0MPa，液体体积空速1.0～6.0h‑1，氢油体积比为100～400。