[发明专利]基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811286502.X 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109448999A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 梁桂杰;陈美华;张伯宇;陈西;张欣;刘科 申请(专利权)人: 湖北文理学院
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 梁香美
地址: 441000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点。量子点壳层的导带能级低于量子点核层的导带能级,量子点壳层的价带能级低于量子点核层的价带能级,n型半导体膜的导带能级位于量子点壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型核壳量子点的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。
搜索关键词: 光阳极 能级 核壳量子点 导带 导电基片 价带能级 量子点壳 巯基烷酸 制备 光电转化效率 界面电荷 量子点 核层 浸泡 敏化剂溶液 分离效率 复合作用 吸光效率 醇溶液 可控性 沉积 吸附
【主权项】:
1.一种基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极,其特征在于,包括导电基片、吸附于所述导电基片的n型半导体膜、连接于所述n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于所述巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点,所述Ⅱ型核壳量子点包括量子点核层和量子点壳层,所述量子点壳层的导带能级低于所述量子点核层的导带能级,所述量子点壳层的价带能级低于所述量子点核层的价带能级,所述n型半导体膜的导带能级位于所述量子点壳层的导带能级和价带能级之间。
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