[发明专利]一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法在审
| 申请号： | 201811286547.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109545681A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 闫欣;何凯;高贵龙;钟梓源;李少辉;汪韬;田进寿;尹飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨亚婷 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，对GaAs衬底进行分阶段腐蚀，在第一阶段将待腐蚀芯片置于NH4OH溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为35‑40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底，对GaAs衬底进行减薄；在第二阶段，将第一阶段腐蚀后的芯片进行清洗后置于柠檬酸溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为25‑35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底，直至将GaAs衬底5完全去除掉。本发明全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，解决了单一NH4OH：H2O2体系选择性低，表面粗糙的缺点，又克服了柠檬酸：H2O2体系腐蚀速度慢，对于较厚GaAs衬底难以实现大面积均匀腐蚀的缺点，具有快的腐蚀速度且腐蚀后芯片表面均匀光滑，在保证材料表面形貌的前提下缩短了腐蚀时间。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 衬底 芯片 超快探测 全光 混合溶液中 材料表面形貌 柠檬酸溶液 柠檬酸 芯片表面 分阶段 除掉 减薄 光滑 清洗 保证 | ||
【主权项】：
1.一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)第一阶段腐蚀：1.1)将NH4OH溶液和H2O2溶液进行混合，形成第一阶段腐蚀溶液(2)；1.2)将待腐蚀芯片置于第一阶段腐蚀溶液(2)中，在温度为35‑40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底(5)，对GaAs衬底(5)进行减薄；2)第二阶段腐蚀：2.1)将柠檬酸溶液和H2O2溶液进行混合，形成第二阶段腐蚀溶液；2.2)将步骤1.2)腐蚀后的芯片进行清洗后置于第二阶段腐蚀溶液中，在温度为25‑35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底(5)，直至将GaAs衬底(5)完全去除掉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811286547.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
