[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811287271.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109638127B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，所述空穴提供层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层的材料采用P型掺杂的氮化镓，每个所述第二子层的材料采用掺杂铌的氮化镓。本发明通过在P型掺杂的氮化镓中插入至少一层掺杂铌的氮化镓，掺杂铌的氮化镓和P型掺杂的氮化镓的交界面具有较强的二维空穴气，有利于P型掺杂的氮化镓提供的空穴进行横向扩展，从而大大提高了空穴的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述空穴提供层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层的材料采用P型掺杂的氮化镓，每个所述第二子层的材料采用掺杂铌的氮化镓。
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