[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811287347.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109860341B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述方法包括：提供衬底，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的底宽等于或大于2.9微米；在所述衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层包括AlN层和BGaN层，所述AlN层位于所述衬底与所述BGaN层之间；顺次在所述BGaN层上沉积GaN成核层、GaN高温填平层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的底宽等于或大于2.9微米；在所述衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层包括AlN层和BGaN层，所述AlN层位于所述衬底与所述BGaN层之间；顺次在所述BGaN层上沉积GaN成核层、GaN高温填平层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。
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