[发明专利]一种抑制芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抑制芯片，其包括：第一导电类型的第一衬底，自第一衬底的上表面向下形成的多个第一沟槽，形成在第一沟槽的内壁及第一衬底的上表面的第一导电类型的第一扩散区，第二导电类型的第二衬底，自第二衬底的下表面向上形成的多个第二沟槽，第二沟槽之间形成多个凸柱，凸柱用于与第一沟槽配合，形成在第二沟槽的内壁及凸柱的上表面的第二导电类型的第二扩散区，第一衬底与第二衬底通过第一沟槽与凸柱键合使第一扩散区与第二扩散区接触，形成在二衬底的上表面的第二导电类型的外延层，形成在外延层的上表面的第一导电类型的第三扩散区。本发明还公开了抑制芯片的制备方法。其能实现双向保护，且寄生电容小，满足高频电路的需求。

主权项

1.一种抑制芯片，其特征在于，其包括：第一导电类型的第一衬底，自所述第一衬底的上表面向下形成的多个第一沟槽，形成在所述第一沟槽的内壁及所述第一衬底的上表面的第一导电类型的第一扩散区，第二导电类型的第二衬底，自所述第二衬底的下表面向上形成的多个第二沟槽，所述第二沟槽之间形成多个凸柱，所述凸柱用于与所述第一沟槽配合，形成在所述第二沟槽的内壁及所述凸柱的上表面的第二导电类型的第二扩散区，所述第一衬底与第二衬底通过所述第一沟槽与所述凸柱键合使第一扩散区与第二扩散区接触，形成在所述第二衬底的上表面的第二导电类型的外延层，形成在所述外延层的上表面的第一导电类型的第三扩散区，形成在所述第一衬底的下表面的第一金属层，形成在所述第三扩散区的上表面的第二金属层。